我们多年的设计、内部封装和制程创新，已经扩大了我们在建构超低饱和、高达 900V 的快速切换晶体管方面，双极处理和设计的优势地位。
我们广泛的双极晶体管产品组合，可使用更小的表面黏着封装来满足许多目标产品应用 (包括符合 AEC-Q101 规范) 的要求。我们专注于优化制程实现最低饱和电压、缩小晶粒面积，并提高切换效能，以降低组件功耗，从而实现上述目标。
双极本质上对 ESD 的耐受力，加上极低的特征导通电阻，使其成为 MOSFET 技术之外适于成本效益的替代方案，各种电路拓扑均可采用。
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