本公司多年在设计、内部封装和制程的创新将本公司的双极型工艺和设计领先地位扩大到制造超低饱和、高至 900V 的快速开关晶体管。
通过优化制程以实现最低饱和电压、减少晶粒面积并提高开关性能 (从而降低耗散功率)，本公司广泛的双极晶体管产品组合可实现更小的表面贴装封装，满足许多目标产品应用的需求，包括具有 AEC-Q101 需求的产品应用。
内在的 ESD 稳固性与极低的特定导通电阻也使这些双极晶体管成为 MOSFET 技术之外具有成本效益的替代方案，各种电路架构拓扑均可采用。
