本公司多年在設計、內部封裝和製程的創新將本公司的雙極型工藝和設計領先地位擴大到製造超低飽和、高至 900V 的快速切換電晶體。
透過最佳化製程以實現最低飽和電壓、減少晶粒面積並提高切換效能 (因此降低功耗)，本公司廣泛的雙極電晶體產品組合可實現更小的表面黏著封裝，滿足許多目標產品應用的需求，包括具有 AEC-Q101 需求的產品應用。
本質上 ESD 穩固性與極低的特定導通電阻也使這些雙極電晶體成為 MOSFET 技術之外具有成本效益的替代方案，各種電路架構拓撲均可採用。
