Diodes Incorporated

Diodes Incorporated 與 Transphorm 推出 130W 主動箝位返馳式 (ACF) SuperGaN USB-C PD 轉接器評估套件

供應多種高效能功率半導體產品的 Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 推出完整的 130W USB Type-C® 供電 (PD) 3.0 轉接器評估和開發套件。這款全新解決方案使用 SuperGaN® FET,此產品來自 Transphorm 公司 (OTCQX:TGAN),其為全球高可靠性、高效能氮化鎵 (GaN) 功率轉換產品的領先供應商。

這款套件將 Diodes 的創新高效能 ACF 控制器,與 Transphorm 公司具有輸入功率因數校正 (PFC) 的專利常閉式 SuperGaN Gen IV 裝置相結合。與增強型氮化鎵 (e-mode GaN) 及矽晶型系統相比,這項解決方案提供低待機功率、更高的效率、前所未有的熱效能,以及最佳的系統物料清單 (BOM) 成本。它超越了 DOE VI 和 COC Tier 2 的功率效率要求,且可以增加功率密度。

Diodes 公司的 ACF 解決方案可利用新一代電源轉換技術,配置效能高於傳統反馳式系統,在 USB PD 充電產品應用中的成本,也顯著低於半橋諧振 LLC 解決方案。新的 130W ACF SuperGaN 套件也不例外,能夠便捷地評估先進技術,同時加快上市時間。其功能包括:

  • 高功率峰值效率:> 93.5%
  • 高功率因數:60% 負載下 > 0.90
  • 超低總諧波失真 (THD):60% 負載下 < 18%
  • 低待機功率:< 43mW
  • 最低切換器溫度:< 75°C

這款套件使用 Diodes 的三款主要控制器及 Transphorm 的兩款 SuperGaN FET:

  • AP3306專為滿足超低待機功率與高功率密度要求而設計的高度整合 ACF 控制器,具有全面的保護機制。
  • APR340用於次級側同步整流的 MOSFET 驅動器。
  • AP43771V: USB Type-C PD3.0 解碼器,具有開關 N 通道 MOSFET 控制和強大的保護功能。
  • 兩個 TP65H150G4LSG 裝置 SuperGaN 650V、150mΩ FET,分別用於 PFC 控制和 ACF 控制階段。

Diodes 公司 ACDC 電源與照明 (APL) 部門經理 Ernest Lin 表示:「Diodes 公司的 AP3306 ACF 控制器對於 45W 至 140W 的各種電源轉接器,可以達到高整合度、低待機功率、最佳系統成本及多功能保護,而我們符合 PPS 規範的 AP43771V USB-PD 控制器,其 MCU 具有可客製化的虛擬多時間可程式區域,支援不同的快速充電器電源設定檔。Transphorm 的 SuperGaN 技術讓我們能夠提供最高效率、最低裝置溫度,最終推出具備高功率密度且易於驅動的轉接器系統,無需任何額外的驅動器或複雜的介面。」

Transphorm 技術銷售與現場產品應用部門副總裁 Tushar Dhayagude 表示:「Diodes 公司是 USB-PD 轉接器市場中的創新者,提供了眾多控制器產品,他們所提供的開發套件對我們來說是一個寶貴的機會,可以協助客戶快速實現高效能筆記型電腦的 GaN 電源轉換優勢。隨著市場上出現更多大於 100 W的充電器,轉接器市場才開始瞭解到先進的 ACF 拓撲結構為功率和成本節約帶來的好處。Transphorm 的 SuperGaN FET 產品擁有最高的效率、簡單的設計和可驅動性,以及市場上最強大和最高的閘極雜訊抗擾性。」

製造商可以透過簡單易用的 130W USB PD ACF 套件,快速客製化和設計具有 USB-C、PPS 和多通訊協定配置的 90W 至 150W 轉接器。現可向 Diodes公司官網 索取此套件。

 

SuperGaN 標誌為 Transphorm, Inc. 的註冊商標。

USB Type-C® USB-C® USB 開發者論壇 (USB Implementers Forum) 的註冊商標。

所有產品名稱、標誌、品牌、商標與註冊商標均為其個別持有人的財產。

 

關於 Diodes Incorporated

Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 是一家標準普爾小型股 600 指數和羅素 3000 指數成員公司,為消費性電子、運算、通訊、工業及汽車市場的全球領先公司提供高品質半導體產品。我們擁有豐富的產品組合以滿足客戶需求,內容包括分離、類比、邏輯與混合訊號產品以及先進的封裝技術。我們廣泛提供特殊應用解決方案與解決方案導向銷售,加上全球 31 個據點涵蓋工程、測試、製造與客戶服務,使我們成為高產量、高成長的市場中成為優質供應商。詳細資訊請參閱 www.Diodes.com

 

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Transphorm, Inc. 是引領 GaN 革命的全球領導者,為高壓功率電源轉換產品應用,設計及生產具備高效能和高可靠性的 GaN 半導體。Transphorm 擁有龐大的功率 GaN 智慧財產權組合,持有或授權超過 1000 項專利,生產首款符合 JEDEC 及 AEC-Q101 標準的高壓 GaN 半導體裝置。Transphorm 的垂直整合裝置商業模式,使得每個開發階段皆能進行創新:設計、製造、裝置和產品應用支援。Transphorm 的創新成果使電力電子技術超越矽材的限制,達到 99% 以上的效率、40% 以上的功率密度,並降低 20% 系統成本。Transphorm 企業總部位於美國加州戈利塔,在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需更多資訊,請造訪 www.transphormusa.com。請在 Twitter 上關注我們 @transphormusa,也請在微信上關注我們 @Transphorm_GaN。

 

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