分離元件

• 金屬氧化物半導體場效電晶體
  Diodes 公司的 MOSFET 產品組合，陣容完整而多元，確保設計人員得以根據其終端應用，選擇出最適合的裝置。  More
  • MOSFET 產品主表
  • MOSFET 加 SBR
  • MOSFET 加 BJT
  • IntelliFET
    Diodes 公司的低側 intelliFET 自我防護型 MOSFET，非常適合在嚴苛的環境內使用。  More
  • H 橋 MOSFET
    Diodes 公司的 MOSFET H 橋系列產品，採用了最佳化的直流 (DC) 馬達控制與反相電路設計。  More
  • DIOFET (Diodes 蕭特基整合式 MOSFET)
    DIOFET 為本公司專有製程，將功率 MOSFET 和蕭特基 (Schottky) 二極體整合至單一矽晶片。  More
• 雙極電晶體
  Diodes 完全滿足您的雙極電晶體應用需求。  More
  • 電晶體 (BJT) 產品主表
  • 特殊功能電晶體
  • 預置偏壓電晶體
  • 達靈頓電晶體
    Diodes 的達靈頓電晶體，最適合繼電與電磁閥驅動，及線性穩壓應用。  More
  • 電晶體與蕭特基 (Schottky) 組合
  • 匹配對
    使用單一晶圓的相鄰晶粒製造：將直流 (DC) 電流增益、hFE、VCE(sat)、VBE(sat) 匹配最大 2% 的容差。  More
• 二極體與整流器
  • 二極體
  • 整流器
• IGBTs
  Diodes range of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) use advanced Field Stop Trench IGBT Technology to offer rugged performance combined with super high-speed switching performance in industry standard packages.IGBTs combine the gate drive characteristics of MOSFETs with the high current and low saturation voltage capability of bipolar transistors. IGBTs are used in medium to high power applications such as UPS, motor drive, welders, solar inverters and induction cookers.Related Links …  More
• 保護裝置
    Diodes 公司的保護裝置，提供先進的效能與耐用的品質，協助客戶一次就成功實現正確的系統設計。我們重視客戶的需求；縮短交貨期是我們的首要優先任務。   Diodes 齊納 TVS 產品組合的電壓範圍從最低 3.3V 到 440V，但仍可達成突波保護高額定值：最高達 3.0kW 或 326A。Diodes 的閘流體過壓保護元件 (TSPD) 提供了雷擊突波抑制功能，適用於建物內的防護 (符合 Bellcore GR-1089)…  More
  • 齊納 TVS
    Diodes 齊納 TVS 產品組合的電壓範圍從最低 3.3V 到 440V。  More
  • 閘流體過壓保護元件 (TSPD)
    Diodes 的閘流體過壓保護元件 (TSPD) 提供了雷擊突波抑制功能，適用於建物內的防護。  More
  • 資料傳輸線保護
    Diodes 公司的產品能應用於形形色色的不同領域，包括高速資料傳輸線保護。Diodes 擁有眾多的資料傳輸線保護產品選項，提供單一、雙重、四重、單向和雙向等各種配置組合。    More
• 功能陣列
  Diodes 公司的功能陣列系列為多晶粒、應用特定的簡單標準產品，同時提供各種不同市場所需的解決方案，產品包括： 簡單的單通道和多通道繼電驅動器，採用 Diodes 公司自有的封裝專業技術。 簡單的高電壓穩壓器，同時結合齊納二極體或參考電壓與 Diodes 的雙極電晶體。 簡單的 LED 驅動器解決方案，提供高溫時的內建 LED 電流降低功能。 簡單的電晶體加上 Diodes…  More
  • 繼電驅動器
  • 分離元件 ─ 負載開關
  • 分離元件 ─ 穩壓器
  • 分離元件 ─ LED 驅動器解決方案
  • 分離元件 ─ 電晶體 + 二極體陣列