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金属氧化物半导体场效应晶体管
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N 沟道
N 沟道 8V 至 29V
N 沟道 30V
N 沟道 31V 至 99V
N 沟道 100V 至 399V
N-Channel >400V
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N 沟道
N 沟道 8V 至 29V
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N 沟道 30V
Diodes 的 N 沟道 30V MOSFET 系列产品采用该公司符合成本效益的封装技术。
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N 沟道 31V 至 99V
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