Diodes Incorporated

碳化矽 (SiC) MOSFET

我們的碳化矽 (SiC) MOSFET額定電壓為 1200V,可廣泛用於設計牽引逆變器(Traction Inverter)、馬達驅動器、光伏太陽能逆變器,以及需要更高電壓和效率的 DC-DC 轉換器產品應用。與傳統的矽基型元器件相比,這些產品即使在惡劣的環境下也能運作,具備可靠且強大的效能。

  • 低導通電阻
  • 適用於電力產品應用的高 BVDSS 額定值
  • 低輸入電容