Diodes Incorporated

Diodes 公司推出功率密度更高的工業級碳化矽 MOSFET

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化矽 (SiC) 系列最新產品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化矽 MOSFET。這款裝置可以滿足工業馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用,對更高效率與更高功率密度的需求。

DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作,同時維持低導熱性 (RθJC = 0.6°C/W),非常適合用於在惡劣環境中運作的應用。這款 MOSFET 的 RDS(ON) (典型值) 很低,僅 80mΩ (對於 15V 的閘極驅動),能將傳導耗損降至最低,並提高效率。而這款裝置的閘極電荷僅 52nC,可減少開關耗損與降低封裝溫度。

本產品是市場上首款採用 TO247-4 封裝的碳化矽 MOSFET。額外的凱爾文感應接腳可以接到 MOSFET 的源極,以最佳化切換效能,達到更高的功率密度。

 

關於 Diodes Incorporated

Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 是一家標準普爾小型股 600 指數和羅素 3000 指數成員公司,為汽車、工業、運算、消費性電子及通訊市場的全球公司提供高品質半導體產品。我們擁有豐富的產品組合以滿足客戶需求,內容包括分離、類比、邏輯與混合訊號產品以及先進的封裝技術。我們廣泛提供特殊應用解決方案與解決方案導向銷售,加上全球 32 個據點涵蓋工程、測試、製造與客戶服務,使我們成為高產量、高成長的市場中成為優質供應商。詳細資訊請參閱 www.diodes.com

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